GaN更大的优势是，具有能耐受极高温度的极其坚固的结构。恩智浦的GaN晶体管可指 定250 °C的最高温度，相比之下，Si LDMOS为225 °C。在如此高温环境下，更需要能够充分利用此特性的封装技术。因此，客户将是恩智浦在RF功率产品领域30年经验的受益者，我们的工业基地能为客户带来 极佳的产品可靠性、成本和高度自信的供应链，能做到这些的GaN供应商仅此一家。正如我们所说，GaN因此而成为主流。
第一代恩智浦GaN产品